Page 16 - 30105-2003 การวิเคราะห์วงจรอิเล็กทรอนิกส์ความถี่สูง

8

F : ก
Mid
F :
ก ' กก `
+ " `

+
o
F :
R`3 ` 3 0ก " ! % ก
OS
F :
R`3 ` 3 " " ! % ก
OP

R`3 ` +( 3 L
F ( R L 11 ) : 11

R`3 ` +( 3 L

F ( R L 12 ) : 12

:
R`3 ` +( 3 L
F R (L 43 ) 43
F : ` ,
T
F :
+$ ,+ Z
β
G : (

GND : ก ' , '
g : ',ก3+ ` , ( R
m
g V : 3 ก(
'ก 3
ก
+ &

o ก 0 R' 3 ', V
m b e ′
b e ′
HF :

h : ,+ " ก 3 , I c "
)
+
fe
I b
H : ,+ " ก 3 + I C "
)
+
FE
I
B
IF :
ก
IFT : $ 3
# $ก,
ก

M :
(
MOS : ก +, ( '

o ก&`' " R

N : (

N-Type : ก +, ( '

P : ก( , ,++ , ,++ (W, mW)

P : ,+ " ก( ,
G
P-Type : ก +, ( ')
Q : +,
ก 01U )" +,
(

R : +$ '$
"$ +( 3 R
i i
R : +$ '$
"$ +( 3 R
in
in
R : +, +$ R '
L

ก

ก
ก