Page 225 - 30105-2003 การวิเคราะห์วงจรอิเล็กทรอนิกส์ความถี่สูง
P. 225
217
5.
×
I R 10.434 10 − 3 × 150
0 a = DSS S = 2 = 0.250
2
(V P ) ( 2.5− )
2I R 2 10.434 10 − 3 × 150
×
×
=b 1− DSS S = 1− = 2.252
V P − 2.5
)
×
=
c = I DSS S −V G = ( 10.434 10 − 3 × 150 − 0 1.565
R
− 2.252 ± ( 2.252 ) − (4 0.250 1.565× × )
2
V GS =
×
2 0.250
− 2.252 1.872
±
V GS =
0.5
− 2.252 1.872
+
V GS 1 = = − 0.76 V
0.5
−
− 2.252 1.872
V GS 2 = = − 8.248 V
0.5
V GS = V GS 1 = − 0.76 V
V 2 3 − 0.76 2
×
ก ก (2.46) I D = I DSS 1− GS = 10.434 10 − 1− = 5.054 mA
V P − 2.5
ก ก (2.45) V DD = ( I R + V DS − I R ) ,V DS = V DD − ( I R + I R ) ;
D S
D S
D D
D D
×
×
+
×
V = 12 − ( { 5.054 10 − 3 × 1 10 3 ) ( 5.054 10 − 3 × 150 )} = 6.187 V
DS
= − −− −
' B Q V GS == = 0.76 V, I = == = 5.053 mA!
V DS = == = 6.167 V
2
D
&( * I "% &. I ± 0.5 mA &( * V "% &. V DS ± 0.5 V
DS
D
D
5.4.3 ก
5
$ 6 C $ C
S
D
(
C 3. 500 kHz ก* %$ 0
0 ก
S
C
C = 2
S
10
C " ,
500 kHz
ก 0 X ( ก " 0.5-10 Ω
D CD
1
C = (5.30)
D
π
2 F X C D
o
) 5.12 $ &( C !
C
S D
×
C 2 560 10 − 12
* + C = = = 56 pF
S
10 10
ก ก (5.30) C = 1
D
2 F Xπ o C D
0 F = 500 kHz, X CD = 10 ;
Ω
o
ก
ก
ก

