Page 43 - 30105-2003 การวิเคราะห์วงจรอิเล็กทรอนิกส์ความถี่สูง

35
1. !!" # $
%&

R C NPN R C C PNP
C E E
Q 1 Q 2
I CBO = 1 µA B I CBO = 1 µA B
V CB V CB

V CC V CC

/ %$ &!

1.26 ก ( I
CBO
; +' - "
ก ( +'& . ก ( 0
& ก :ก ( I CBO
-(& ' ' ! +W $" , กก ก & ' ' ! V -
0
ก ( I
CBO CB

%$ &! $ %$'$ก +W $& $ /7 ก 6 6 C ก ( I CBO -(& $ & . 2 & 0 1.26
- ก! 1.12 '(& &ก ก0,ก ( I CBO 0 :-

− I = 1 µA,T = 25 C; ( ! ! 1.12)
CBO A

− I CBO = 2 µA,T = 31 C; (T & $ /7 6 C)
A
A

− I CBO = 4 µA,T = 37 C; (T & $ /7 12 C)
A
A

+0 / 1.4.1.1
ก %$ &! '( $ ก ( I
CBO
0 &
! ก + &ก$ & W / - * -0 , " R
V CC ≤ V CBO E
1.4.3.2 ก

(I EBO )
ก ( $ $!&! 0! ) & . ก ( ก'0, ))2 ก ( ! +'

8 / $ $!&! ก0,/ &, " / '&'tก&! ก' ก & ' ' & & ก0, ก (
0 1.27
I CBO

Q 1 Q 2
I
I EBO EBO

1.27 ก ( I EBO / %$ &!

- ก! 1.12 I = 1 µA,T = 25 C; '( $
EBO A
0 3 V
ก %$ &! +0 / 1.4.1.3 V EE ≤
ก

ก
ก