Page 48 - 30105-2003 การวิเคราะห์วงจรอิเล็กทรอนิกส์ความถี่สูง

40
1. !!" # $
%&

2
S
21e (dB)
2
S = 10 10 (1.8)
21e (W)
$ 2
& ! S = 10 dB - * + & . 0!! (W)
21 (w)
2
S
21e (dB) 10
2 1 10 W
- ก ก (1.8) S = 10 10 = 10 10 = 10 =
21e (W)
G MAX
Maximum Gian (dB) Insertion Gain (dB) S 21e 2 = 10 dB, F = 2 1 GHz;
20
S
21e

− 2 − 10
max 2 S 21e 21e
G S V CE = 10 V
I = 20 mA
0 C
0 0.1 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 2.0

F -Frequency (GHz)
2 ก0,
1.34 0 0 j (+ S 21e

- ก 1.34 '(& 0 :-

− V = 10 V, I = 20 mA, S 2 = 22.5 dB, F = 200 MHz;
CE C 21e
− V CE = 10V, I = 20 mA, S 21e 2 = 10 dB, F = 1 GHz;
C
− $ &% 0 & & &ก -( 8ก80 ก0,

1.4.4 3+ R %- ' )

,,-* ' 3, $ - / %$ &! $&! 8 $&! 0
1.35

1.4.4.1
% ก
) (Transconductance; g )
m
0
0ก ! % & . 0! (+ ก ( I C (dc ) ! V
T
+
& ก : * " ; ( - ก ก

I C ( ) I C ( )
c
d
c
d
g = = (1.9)
m
V k T ) q
T ( B

ก ( '&'tก&! ก ,
" I C (dc )
ก

ก
ก