Page 36 - 30105-2003 การวิเคราะห์วงจรอิเล็กทรอนิกส์ความถี่สูง
P. 36
28
1. !!" # $
%&
-
$ " & . " & ' ' - ))2 ! ก & ' '
0
ก'0, !ก " -7 ก * &ก ก0, ก 0 &'
ก / - & $
& & t , & )& t , " 09 '( - -
6
, I '( C
$&! * 05 ก V
R F D
1.4 )
%$ &! ก +' $ +' &, %7 -(&+ ( ก0, ! '( &
/ 055 & , / 055 '( $! & . ! 0 0 -7 -*
& . ! , '0ก1 ( ))2 '( $&! / %$ &! &, 0 ก ก
1.4.1
! ก %
!
%' )
0 , $ก0 & . %$ &! " &ก$ & +
+W $" , 25 9 &%'&% 0 ! 1.10
! 1.10 0 , $ก0 / %$ &!
0 , $ก0 +W $" , 25 C
$&! 05'0ก1 +
0 &, ก '&'tก&! &, 20 V
(Collector-Base Breakdown Voltage) BV CBO ,V CBO
0 &, ก '&'tก&! $!&! 12 V
$
(Collector-Emitter Breakdown Voltage) BV CEO ,V CEO
0 &, ก $ $!&! &, (Emitter-Base Breakdown Voltage) BV EBO ,V EBO 3 V
ก ( '&'tก&! (Maximum Collector Current) I C (MAX) 100 mA
ก 5& ก* '0 & . 0 + (Total Power Dissipation) P ,P 600 mW
T D
+W $ ! / ( * (Operating Junction Temperature) T 150 C
j
$ 0 +W $ ( (Storage Temperature Range) T − 65 7 150 C
+
stg
+ &+! !0 &'/ ! & . ก!0 ก j$,
1.4.1.1 % ก% Nก
(BV ,V )
CBO CBO
0
0
&, ก '&'tก&! &, & . ก'0, (+
ก
ก
ก
