Page 33 - 30105-2003 การวิเคราะห์วงจรอิเล็กทรอนิกส์ความถี่สูง

25
1. !!" # $
%&

1.3.1.2 ก

-. /

- ก! 1.7 I = 50 mA
F
ก " -(! ก ( I ≤ 50 mA
F

/
1.3.2 ก4 ' - %& %
! 1.8 '0ก1 ( / $ "

'0ก1 ( +W $" , 25 C

$&! 05'0ก1 +

+W $ ! / ( * T 125 C
j
$ 0 +W $ ( T −55 7 +150 C
stg
+ &+! !0 &'/ ! & . ก!0 ก j$,

1.3.2.1 .6!
' +

- ก! 1.8 T = 125 C

j
1.3.2.2
.6!

- ก! 1.8 T stg = − 55 C 7 150 C+

1.3.3 ก4 ' - %& %
! 1.9 '0ก1 ( ))2 / $ "

'0ก1 ( ))2 +W $" , 25 C

'0ก1 ( &
/ , 05'0ก1 ! * !0 +

V = 16 V - - 20
ก ( ! ก'0, R I nA
V = 16 V, T = 60 C; R - - 200

A
R
- " V = 2 V, f =1 MHz; C 42 - 46.5 pF
D
R
! ก " r - 0.2 - Ω
(Diode Series Resistance) f = 100 MHz s
0! - ))2 C D (2 V) 1.65 - 1.75 -
=
(Capacitance Ratio) f 1 MHz C D (8 V)
+ &+! !0 &'/ ! & . ก!0 ก j$,

1.3.3.1 ก

ก
- ก! 1.9 '(& &ก ก0, I 0 :-
R
− I = 20 nA,V = 16 V,T = 25 C;

R R A

ก

ก
ก