Page 34 - 30105-2003 การวิเคราะห์วงจรอิเล็กทรอนิกส์ความถี่สูง

26
1. !!" # $
%&

− I = 200 nA,V = 16 V,T = 60 C;

A
R
R
A
I R = 20 nA
V R =16 V
D 1

1.17 ก , ก'0, '(ก 0 ก ( I / "
$
R

- ก 1.17 & . ก , ก'0, ก ( I +' ( 20 nA
R
'( $

$
ก " -(! 0, 0 ก'0, &ก$ 18 V
75
T = 25 C, F = 1 MHz;
o
A
C = 46 pF,V = 2 V;
D R
-Capacitance (pF)
50

R
D
C D 25 C = 27 pF,V = 8 V;
0
0.1 1 10

1.18 0 0 j (+ C ก0, 0 V
D
R
1.3.3.2 3 %& %
- ก! 1.9 C ! * 42 pF '( 46.5 pF
D
- ก 1.18 '(& 0 :-

− V = 2 V, C = 46 pF;
R
D
− V = 8 V,C = 27 pF;
R
D
1.3.3.3
/ ก %& % ( )r
s
! ก " & . ! / - ! '(ก

Ω
- ก! 1.9 r = 0.2 ,F = 100 MHz;
s

ก

ก
ก