Page 173 - 30105-2003 การวิเคราะห์วงจรอิเล็กทรอนิกส์ความถี่สูง
P. 173
165
4.
4.1.1.4.2 V , ( -2 ) ก 1 4.3 D ก (. 4==D
π
π
2
o
E N 33 V FD 2
i
ก
ก (4.3) I = −
D 2 ( R + R L ) N 13 ( R + R L )
2
2
V o ( -2 ) = I D R
π
π
L
2
E N V FD
% & V o π = I D R = R L i 33 − 2 (4.7)
( -2 ) π
L
2
( R + R L ) N 13 ( R + R L )
2
2
π
π
$% V o ( -2 ) ! . % 4==D 0ก
R # ( = ( -2 )
π
π
L
(0
. % 4==D ก5 ก 4
ก5 ก
V o (0- ) .5(V o ( -2 )
π
π
π
! (0
(0 -5%
1
5%5 $% ก
# R
R , V o (0- ) 1 ก V o ( -2 )
π
π
π
1
2
(
4% ก
ก
-
R !
V ก -V
π
π
π
1 o (0- ) o ( -2 )
E N V FD
ก
ก (4.6) V = I R = R L i 23 − 1
π
o (0- ) D 1 L R + R +
( 1 R L ) N 13 ( 1 R L )
R L E N 23
i
V = − V FD
π
o (0- ) ) 1
( R + R L N 13
1
R E N
( R + R L ) = L i 23 − V FD
1
V (0- ) N 1
o π 13
R E N
R = L i 23 − V − R
1 FD L
V o (0- ) N 13 1
π
ก
%
R = R ,V = V ;
π
1 1x o (0- ) ox
R E N
% & R = L i 23 − V − R (4.8)
1x FD L
1
V ox N 13
$% R ! 0 0 R 1ก 5 . 5 0
ก 5 . 5 V
1x
1
ox
V ! . % 4==D 0ก
R 0
0 ก
ox
L
E N V FD
ก
ก (4.7) V = I R = R L i 33 − 2
π
π
o ( -2 ) D 2 L
( R + R L ) N 13 ( R + R L )
2
2
E N V FD
V o ( -2 ) = R L i 33 − 2
π
π
( R + R L ) N 13 ( R + R L )
2
2
R L E N 33
i
V o ( -2 ) = − V FD
π
π
)
( R + R L N 13 2
2
R E N
R + R = L i 33 − V
2 L FD
2
V o π π N 13
( -2 )
ก
ก
ก

