Page 177 - 30105-2003 การวิเคราะห์วงจรอิเล็กทรอนิกส์ความถี่สูง

169
4.

(
3 V o (0- ) ก - 1.461 V .5(V o ( -2 ) ก - 1.10 V peak (0
π
π
π
peak

5% V o (0- )

5! ก - 1.10 V peak
π
4.1.2.5 ก
(

) R #% R
1 2

ก (
R .5( R !
V ก - V
π
π
π
1 2 o (0- ) o ( -2 )
 R  E N   

ก
ก (4.8) R =  L  i 23 − V FD   − R
L
1x
  V ox  N 13 1  

*& 4.8 (
R .5( R !
V o (0- ) ก - V o ( -2 )
π
π
π
1
2
 R  E N   

+ , ก
ก (4.8) R =  L  i 23 − V FD   − R
1x
L
  V ox  N 13 1  
$% R ! 0 0 R 1ก 5 . 5 0
ก 5 . 5 V
1x
ox
1
V = 1.10 V
ox peak
 1 10  200 10 − 3 × 89   
3
×
×

3
×
R =   − 0.35  − 1 10 = 993.506 Ω
1x  
  1.10  7  
R = 993.506 Ω 5
0 ' R = 1 kΩ
1x
1x
* R (0 1ก 5 ก 500 Ω ΩΩ Ω ก5 1 kΩ ΩΩ Ω .
1

4.2

2
34 $ *
#%

+V
V max
0 π 2π 3π t +V
0 V max
T T π 2π 3π
− V − V
Q 1
E
g
500 kHz 1 MHz
D , D 1N4148 t = 4 ns,V = 0.6 V, I = 200 mA,V = 75 V,V = 100 V;
1 2 rr F F R RRM
Q 1 2SC930 V CBO = 30 V,V CEO = 20 V,V EBO = 5 V, I C (MAX) = 30 mA, P = 120-250 mW,
D
β = β = 100,V = 0.6 V, F = 300 MHz, C = C = 1.3 pF, r bb′ = 2 ;
Ω
F o BE T ob re
1 4.5 . %
2 $% , / 0 .5(4%$ %
*

ก

ก
ก