Page 52 - 30105-2003 การวิเคราะห์วงจรอิเล็กทรอนิกส์ความถี่สูง

44
1. !!" # $
%&

×
I C (dc ) 2 10 − 3
g = = = 77.821 mS
m
×
×
25.7 10 − 3 25.7 10 − 3
g m
- ก ก (1.16) C b e ′ = − C
ob
π
2 F
T
×
77.821 10 − 3 − 12 1.256 pF
×
C b e ′ = 9 − 0.65 10 =
×
×
2×3.14 6.5 10

C b e ′ ′′ ′ = == = 1.256 pF

1.4.4.7
/
Nก
(r
)
b c ′ ′′ ′

! &, '&'tก&! & . ! W (+ / &,

$
ก0,/ '&'tก&! " ก! %$ &! $ %$'$ ! ก & - กก (
I CBO ก '( $ " &X ( ก0, ก ! % / C -( ! * ก
b c ′

r &
- ก 0 ! / ก0 '( $ r
b c ′
b c ′

1.4.4.8
/ Nก

(r

ce )
$

! '&'tก&! $!&! & . ! W (+

/ '&'tก&! ก0,/ $ $!&! " ก!$ ก & - ก ก ( I CEO ก " &X (!
ก0,"+' 50 Ω +
75 Ω -7 '( $ r
ce

-

ก %$ &! ! * 7 7 0 , $ก0 ก ก ก* + 0

$!&! '( $
$
V ! &ก$ 0 V CBO &, '( &ก$ 0 V CEO
CC
ก ( I ! * ก 0.5I C (MAX)
C
ก ! , -(! &'
ก %$ &! F 6 &
+

T

H + β -(! 8''0 j ก ! ก '(&'
ก C ! *
FE F ob
$
ก ( $&! / ,,-* ' 3, - / %$ &! -* & . -(!

, F H '(C
,
ob
FE
T

1.5 )

%$ &! ))2 +
& ก :&)!; &)! * 0

ก &-&)! (JFET) '( ' 0 &)! (Depletion MOSFET) 0 0 * :&)!; + 7 &-&)!
ก

ก
ก