Page 53 - 30105-2003 การวิเคราะห์วงจรอิเล็กทรอนิกส์ความถี่สูง

45
1. !!" # $
%&

'( ' 0 &)! &)!กt& & ก0 ก0, %$ &! -(! , '0ก1 ( ))2 '(

$&! ก ก

1.5.1
! ก %
!
%'

0 , $ก0 & . &)! " &ก$ & +

+W $" , 25 C 0 ! 1.13

! 1.13 0 , $ก0 / &)!

0 , $ก0 +W $" , 25 C

$&! 05'0ก1 +
0 &, ก &ก!% (Gate-Source Breakdown Voltage) BV − 30 V
GSS
ก ( &ก! + (Forward Gate Current) I 10 mA
GF
ก 5& ก* '0 & . 0 + P 300 mW
D
+W $ ! / ( * T −65 7 +160 C
j
$ 0 +W $ ( T −65 7 +160 C
stg
+ &+! !0 &'/ ! & . ก!0 ก j$,

)
1.5.1.1 % ก% ก
)
(BV GSS
0

&, ก &ก!% & . 0 ก'0, (+ / &ก! (G)
ก0,/ % (S) / ( / & (D) '0 - ก0,/ % 0 1.36

Q 1 Q 2
I GSS I GSS

1.36 0 BV GSS / &)!

- ก! 1.13 BV = 30 V− - ก 1.36 ก. 0 V /0 ',!
GSS GG

8 R &/ / &ก! '(/0 , ก! / % / ( / & '0 - ก0,/ % & . ก , ก'0,
G
ก ( I +' - ก 1.36 /. 0 V -( /0 ! ก0 /
GG
GSS
ก &)! $ ก* + 0 V < BV
DD GSS
ก

ก
ก