Page 60 - 30105-2003 การวิเคราะห์วงจรอิเล็กทรอนิกส์ความถี่สูง

52
1. !!" # $
%&

C rss ≈ 2.1 pF,V GS = 0,V DS = 0;
2.4
F = 1 MHz
C ≈ 1.0 pF,V = 0,V = 10 V;
1.8 rss GS DS
V DS = 0
1.2

0.6 V DS = 10 V

0
−
0 − 4 − 8 − 12 16 − 20
V GS -Gate-SourceVoltage (V)
1.44 0 0 j (+ C ก0, V
0
GS
rss
- ก 1.44 '(& 0 :-

− & ก ) V DS = 0 + 7 / & ก0,/ % 0, 0 0 V

C rss ≈ 2.1 pF,V GS = 0,V DS = 0;
− & ก ) = 10 V + 7 / & ก0,/ % 0, 0
V
DS
10 V;
10 V C rss ≈ 1 pF,V GS = 0,V DS =

ก &)! ก ก ,, V = 0.5V &
V = 20 V -(
DS DD DD
V DS = 10 V 0 0 -7 - กก )& C ( 0.75-1 pF
rss
1.5.3.10
% ก
) (g
)
m
0ก ! % & . 0! (+ ก ( & !
0
V & . g - * / &)! ( g ก ( ! ) ก' & ก0, g 1 kHz
GS m m m
ก- ก 0 g ก ( '0, 0 &ก! - ก&
/ก , -(
m
ก , ก ก , ( ก 1 kHz )

8 V GS (off ) = − 3 V T = − 55 C
-Transfer Conductance (mS) 6 4 T = 125 C T = 25 C

A

A

A
D
m
m 2 g = 4.9 mS, I = 5 mA,V GS (off ) = − 3 V;
g
0
0.1 1 5 10
I D -Drain Current (mA)
1.45 0 0 j (+ g ก0,ก ( I
D
m
ก

ก
ก