Page 59 - 30105-2003 การวิเคราะห์วงจรอิเล็กทรอนิกส์ความถี่สูง

51
1. !!" # $
%&

- ก! 1.15 C iss = 2.2 pF,V DS = 10 V,V GS = 0;
- ก 1.42 '(& 0 :-

− & ก ) A C / ( / & ก0,/ % 0, 0 0 V
iss
" 3.8 pF '(! * 1.3 pF " C -( 8ก80 ก0, 0 V
iss GS
− & ก ) B C / ( / & ก0,/ % 0, 0 10 V
iss
" 2.2 pF '(! * 0.8 pF " C -( 8ก80 ก0, 0 V ก ก ,, -
GS
iss
&'
ก C ! ก0, V / &)! -
0
iss GS
5
F = 1 MHz = 2.2 pF,V GS = 0,V DS = 10 V;

4
-Input Capacitance (pF) (pF) 3 2 V DS = 0
C
iss

C iss C iss - 1 V DS = 10 V

0
−
−
0 − 4 − 8 − 12 16 20
V GS -Gate-SourceVoltage (V)
0
1.42 0 0 j (+ C ก0, V (2N4416A, 2006: 5)
iss GS

1.5.3.9 3 & ก (C )
rss
- " ก'0, & . - ))2 (+ / & ก0,/ &ก!/ (

/ & ก0,/ % 0, 0 0 V + 10 V 0 1.43

D
R S JFET
1 MΩ C rss
G
Q 1
V DS (0,10 V)
V GS
V GG S
−
0-( 20 V)

1.43 C / &)!
rss

- ก! 1.15 C rss = 0.56 pF " , V DS = 10 V (%7 & . ก
'0 - / & ก0,/ % )

ก

ก
ก