Page 55 - 30105-2003 การวิเคราะห์วงจรอิเล็กทรอนิกส์ความถี่สูง

47
1. !!" # $
%&

1.5.1.5
.6!

& & ก0 ก0, %$ &! - ก! 1.13 T stg = − 65 C 7 160 C +
/
1.5.2 ก4 '
1.5.2.1
/ /
5

- ก! 1.14 R θ JC = 125 C W
1.5.2.2
/ /
5 .6! &%

& & ก0 ก0, %$ &! - ก! 1.14 R θ JA = 357 C W
! 1.14 '0ก1 ( / &)!

'0ก1 ( +W $" , 25 C

$&! 05'0ก1 +
7
! ! !0 0 R 125 C W
θ
JC
! ! +W $" , R 357 C W
7
θ
JA
+ &+! !0 &'/ ! & . ก!0 ก j$,
1.5.3 ก4 '

1.5.3.1 % ก% ก
)
& & ก0,/ 1.5.1.1

! 1.15 '0ก1 ( ))2 / &)!

'0ก1 ( ))2 +W $" , 25 C

'0ก1 ( &
/ , 05'0ก1 ! * !0 +

0 &, ก &ก!%
I = − 1 V, V 0; BV − 30 − 36 - V
=
(Gate-Source Breakdown Voltage) G DS GSS
−
V = 20 V, V = 0, -
DS
GS
ก ( &ก!ก'0, T = 25 C; − 2 − 100 pA

A
(Gate Reverse Current) V = 0 V, V = 0, I GSS - 4 100
−
GS
DS

T =150 C; − − nA
A
0 &ก!% 0! ) =15 V, I =1 nA; - 3 6 V
(Gate-Source Cutoff Voltage) V DS D V GS (off ) − −
ก ( $ !0 & % =15 V, V = 0; 5 10 15
(D-S Saturation Current) V DS GS I DSS mA
ก ( &ก!/ ( * =10 V, I =1 mA; I - -
(Gate Operating Current) V DS D G 20− pA
ก

ก
ก