Page 54 - 30105-2003 การวิเคราะห์วงจรอิเล็กทรอนิกส์ความถี่สูง
P. 54
46
1. !!" # $
%&
)
1.5.1.2 ก
ก
-. / (I GF
ก ( &ก! + & . ก ( +' (+ / &ก!ก0,/ % &
0,
, + '(/ & ' 0 1.37
- ก! 1.13 I GF = 10 mA - ก 1.37 ก. 0 V /0 , ก!
GG
8 R &/ / &ก! '(/0 ',! &/ / % / ( / & ' ก ( I +' -
G
GF
1.37 /. 0 V -( /0 ! ก0 /
GG
Q 1 Q 2
1.37 ก ( I / &)!
GF
ก " ก! &)! -( , ก'0, (+ / &ก! ก0,/ % !
$
! ก , + + ก ( I GF ≤ 10 mA
1.5.1.3 ก
!:
ก+ - / . %
;
*
ก 5& ก* '0 & . 0 + & . ก* '0 5& / &)!
& & ก0,/ %$ &! - ก! 1.13 P = 350 mW ( - ก ก
D
P = I V (1.17)
D
D DS
=
=
1.10 &)! P = 350 mW,T = 25 C, BV GSS = − 25 V,V − 3 V, I DSS 30 mA;!
D
P
A
; '(" & +
ก W ! P D = 250 mW,V DD = 20 V,V DS = 0.5V DD
9 + - ก ก (1.17) P = I V
D
D DS
V = 0.5V
DS DD
=
×
V = 0.5 20 10 V
DS
×
P 250 10 − 3
I = D = = 25 mA
D
V 10
DS
20 V;
=
W ! P D = 250 mW ! I == = 25 mA,V DS = = = = 10 V,V DD = = = =
D
1.5.1.4 .6!
' +
+W $ ! / ( * &
- ก" / &)! (+ / & ก0,
0
/ % ! 0 T = T - ก! 1.13 T = − 65 C 7 160 C
+
j stg J
ก
ก
ก
